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IRF2805SPBF备选型号: STB150NF55T4
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
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- 栅极至源极电压(Vgs)
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- 双电源电压
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- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 终端
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
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- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3135A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2002Discontinued1 (Unlimited)EAR994.7mOhm55V135ASingle200W14 nsN-Channel4.7m Ω @ 104A, 10V4V @ 250μA5110pF @ 25V230nC @ 10V120ns±20V110 ns135A4V20V55V55V4 V4.826mm10.668mm9.652mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------------------
Trans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ II-活跃1 (Unlimited)EAR996mOhm55V120ASingle300W35 nsN-Channel6m Ω @ 60A, 10V4V @ 250μA4400pF @ 25V190nC @ 10V180ns±20V80 ns60A4V20V55V55V4 V6.35mm6.35mm6.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 Weeks4.535924gSILICONe32SMD/SMTMatte Tin (Sn) - annealed鸥翼24530STB150N3R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAINSWITCHING480A850 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF2805STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK | 对比 |
| IRF2204SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK | 对比 |
| STB150NF55T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
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