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IRF2805STRLPBF备选型号: AUIRF2805S
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 漏极-源极导通最大电阻
- 栅源电压
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK14 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON135A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2007e3不用于新设计1 (Unlimited)2EAR994.7OhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET200WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING4.7m Ω @ 104A, 10V4V @ 250μA5110pF @ 25V230nC @ 10V120ns±20V110 ns135A20V75A55V700A4.826mm10.668mm9.65mm无ROHS3 Compliant无铅----- MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON135A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2011e3Discontinued1 (Unlimited)2EAR99--AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET200WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING4.7m Ω @ 104A, 10V4V @ 250μA5110pF @ 25V230nC @ 10V120ns±20V110 ns135A20V75A55V700A4.83mm10.67mm9.65mm无ROHS3 Compliant-Tin0.0047Ohm2 V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB200NF04T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | 对比 |
| AUIRF2805S | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK | 对比 |
| IRF2805SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK | 对比 |
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