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首页 全部分类 IRF2807PBF vs IRF1010NPBF

IRF2807PBF备选型号: IRF1010NPBF

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  • 阈值电压
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  • 漏源击穿电压
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  • 恢复时间
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 通道数量
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • Infineon Technologies
    IRF2807PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 13 Milliohms; ID 82A; TO-220AB; PD 230W; gFS 38S
    12 Weeks
    Tin
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    82A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    13mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    75V
    250
    82A
    30
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    230W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13m Ω @ 43A, 10V
    4V @ 250μA
    3820pF @ 25V
    160nC @ 10V
    64ns
    ±20V
    48 ns
    82A
    4V
    TO-220AB
    20V
    75A
    75V
    280A
    75V
    150 ns
    4 V
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1010NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    85A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    11MOhm
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    55V
    -
    85A
    -
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    180W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 43A, 10V
    4V @ 250μA
    3210pF @ 25V
    120nC @ 10V
    76ns
    ±20V
    48 ns
    85A
    4V
    TO-220AB
    20V
    -
    55V
    290A
    55V
    100 ns
    4 V
    19.8mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    1
    250 mJ
    175°C
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