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首页 全部分类 IRF2807ZPBF vs IRF1010NPBF

IRF2807ZPBF备选型号: IRF1010NPBF

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  • 阈值电压
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  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
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  • 终端
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • Infineon Technologies
    IRF2807ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    9.4Ohm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
    75V
    75A
    Single
    增强型MOSFET
    170W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.4m Ω @ 53A, 10V
    4V @ 250μA
    3270pF @ 25V
    110nC @ 10V
    79ns
    ±20V
    45 ns
    75A
    4V
    TO-220AB
    20V
    75V
    75V
    4 V
    9.017mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1010NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    85A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    11MOhm
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    55V
    85A
    Single
    增强型MOSFET
    180W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 43A, 10V
    4V @ 250μA
    3210pF @ 25V
    120nC @ 10V
    76ns
    ±20V
    48 ns
    85A
    4V
    TO-220AB
    20V
    55V
    55V
    4 V
    19.8mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    Tin
    e3
    通孔
    2.54mm
    1
    290A
    250 mJ
    100 ns
    175°C
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