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首页 全部分类 IRF2903ZPBF vs IRLB8743PBF

IRF2903ZPBF备选型号: IRLB8743PBF

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • Infineon Technologies
    IRF2903ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    Single
    增强型MOSFET
    290W
    DRAIN
    24 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 150μA
    6320pF @ 25V
    240nC @ 10V
    100ns
    ±20V
    37 ns
    75A
    4V
    TO-220AB
    20V
    260A
    0.0024Ohm
    30V
    820 mJ
    51 ns
    4 V
    9.02mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLB8743PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    78A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.2m Ω @ 40A, 10V
    2.35V @ 100μA
    5110pF @ 15V
    54nC @ 4.5V
    92ns
    ±20V
    36 ns
    150A
    1.8V
    TO-220AB
    20V
    78A
    -
    30V
    -
    44 ns
    1.8 V
    9.02mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    8.7MOhm
    620A
    30V
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