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IRF3205STRLPBF备选型号: STB200NF04T4
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 恢复时间
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 无铅代码
- 基本部件号
- 引脚数量
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON110A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2001e3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR998MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE55V鸥翼260110A30R-PSSO-G21Single增强型MOSFET200WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING8m Ω @ 62A, 10V4V @ 250μA3247pF @ 25V146nC @ 10V101ns±20V65 ns110A4VTO-25220V75A55V55V264 mJ104 ns175°C4 V5.084mm10.668mm10.54mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free----
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON120A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)STripFET™ II-e3Obsolete1 (Unlimited)2-EAR993.7MOhmMatte Tin (Sn) - annealed-40V鸥翼245120A30R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET310W-30 nsN-ChannelSWITCHING3.7m Ω @ 90A, 10V4V @ 250μA5100pF @ 25V210nC @ 10V320ns±20V120 ns120A--20V-40V-----4.6mm10.4mm9.35mm-无ROHS3 Compliant无铅yesSTB200N3480A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB200NF04T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | 对比 |
| IRF1010NSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK | 对比 |
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