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IRF3315STRLPBF备选型号: FDB390N15A
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 长度
- 高度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 无铅代码
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK14 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON14V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1997e3不用于新设计1 (Unlimited)2EAR9982mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier雪崩 额定150V鸥翼26021A30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET94WDRAIN9.6 nsN-ChannelSWITCHING82m Ω @ 12A, 10V1300pF @ 25V95nC @ 10V32ns±20V38 ns21A20V150V84A10.668mm4.826mm9.65mm无ROHS3 Compliant含铅---
MOSFET 150V NCHAN PwrTrench8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON27A Tc4V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2013e3ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)1 (Unlimited)2EAR99-Tin (Sn)ULTRA-LOW RESISTANCE-鸥翼---R-PSSO-G2Single增强型MOSFET75WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING39m Ω @ 27A, 10V1285pF @ 75V18.6nC @ 10V10ns±20V5 ns27A20V150V-10.67mm4.83mm9.65mm无ROHS3 Compliant无铅1.31247gyes78 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF6218STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK | 对比 |
| FDB390N15A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 150V NCHAN PwrTrench | 对比 |
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