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IRF3415STRRPBF备选型号: FDB2572
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK43A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°C150VSingle3.8W12 nsN-Channel42mOhm @ 22A, 10V4V @ 250μA2400pF @ 25V200nC @ 10V55ns150V±20V69 ns43A20V150V2.4nF42mOhm42 mΩ4.826mm10.668mm9.65mm无符合RoHS标准无铅------------------
MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--4A Ta 29A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2002活跃1 (Unlimited)--150VSingle135W11 nsN-Channel54m Ω @ 9A, 10V4V @ 250μA1770pF @ 25V34nC @ 10V14ns-±20V14 ns29A20V150V---4.83mm10.67mm11.33mm无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)8 Weeks1.31247gSILICONe3yes2EAR9954MOhmTin (Sn)鸥翼29AR-PSSO-G2增强型MOSFETDRAINSWITCHING4A36 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS5615TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | 对比 |
| IRF3415STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK | 对比 |
| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | 对比 |
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