Infineon Technologies IRF3415STRRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

供应商器件包装

D2PAK

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

43A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.8W Ta 200W Tc

Turn Off Delay Time

71 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

150V

元素配置

Single

功率耗散

3.8W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

42mOhm @ 22A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

200nC @ 10V

上升时间

55ns

漏源电压 (Vdss)

150V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

69 ns

连续放电电流(ID)

43A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

150V

输入电容

2.4nF

漏源电阻

42mOhm

最大rds

42 mΩ

高度

4.826mm

长度

10.668mm

宽度

9.65mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅