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首页 全部分类 IRF3546MTRPBF vs BSC032NE2LSATMA1

IRF3546MTRPBF备选型号: BSC032NE2LSATMA1

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  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF3546MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    41-PowerVFQFN
    41
    16A Tc 20A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    EAR99
    30A
    21V
    4.5V
    双开关控制器
    4 N-Channel
    3.9m Ω @ 27A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1310pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    25V
    20A
    2
    逻辑电平门
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
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    -
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    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC032NE2LSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Channel 25V MOSFET
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    22A Ta 84A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    3.2m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    1200pF @ 12V
    16nC @ 10V
    -
    22A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    OptiMOS™
    e3
    no
    5
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    2.8ns
    ±20V
    20V
    25V
    336A
    20 mJ
    含铅
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