Infineon Technologies BSC032NE2LSATMA1

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

触点镀层

Tin

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 78W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A Ta 84A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.2m Ω @ 30A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1200pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 10V

上升时间

2.8ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

22A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

336A

雪崩能量等级（Eas）

20 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅