IRF3610SPBF备选型号: FDB3632
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 达到SVHC
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 无铅代码
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 通道数量
- 元素配置
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET N-CH 100V 103A D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON77 nsHEXFET®2013Tube-55°C~175°C TJe3Discontinued1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierSINGLE鸥翼26030R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET333WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING11.6m Ω @ 62A, 10V4V @ 250μA5380pF @ 25V150nC @ 10V55ns100V±20V43 ns103A20V460 mJ4 V无ROHS3 Compliant无SVHC无铅------------------
- ON SEMICONDUCTOR - FDB3632 - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-263AB, Surface MountTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON12A Ta 80A TcPowerTrench®2013Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3活跃1 (Unlimited)2EAR99--鸥翼--R-PSSO-G2-增强型MOSFET310WDRAIN30 nsN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA6000pF @ 25V110nC @ 10V39ns-±20V46 ns80A20V-4 V无ROHS3 Compliant无SVHC无铅ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)8 WeeksTin1.31247gyesSMD/SMT9MOhm100V44A1Single4V100V100V175°C5.08mm10.67mm9.65mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRFS4410Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK | 对比 |
![]() | STH130N10F3-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 100V 7.8 mOhm 120 A STripFET | 对比 |





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