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IRF3610SPBF备选型号: STH130N10F3-2
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- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 达到SVHC
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 附加功能
- 基本部件号
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 100V 103A D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON77 nsHEXFET®2013Tube-55°C~175°C TJe3Discontinued1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierSINGLE鸥翼26030R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET333WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING11.6m Ω @ 62A, 10V4V @ 250μA5380pF @ 25V150nC @ 10V55ns100V±20V43 ns103A20V460 mJ4 V无ROHS3 Compliant无SVHC无铅------
MOSFET N-Ch 100V 7.8 mOhm 120 A STripFETTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON120A TcSTripFET™ III-Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealedSINGLE鸥翼24530R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET250WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING9.3m Ω @ 60A, 10V4V @ 250μA3305pF @ 25V57nC @ 10V38ns-±20V7.2 ns120A20V--无ROHS3 Compliant--ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 Weeks超低电阻STH130100V450A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFS4410Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK | 对比 |
| STH130N10F3-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 100V 7.8 mOhm 120 A STripFET | 对比 |
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