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IRF3704ZSPBF备选型号: IRF3707ZSPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 阈值电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON67A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR997.9MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier20V鸥翼26067A30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET57WDRAIN8.9 nsN-ChannelSWITCHING7.9m Ω @ 21A, 10V2.55V @ 250μA1220pF @ 10V13nC @ 4.5V38ns±20V4.2 ns67A20V42A20V260A17 ns2.1 V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无符合RoHS标准无铅---- MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON59A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2003e3Discontinued1 (Unlimited)2EAR9912.5MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier30V鸥翼26059A30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET57WDRAIN9.8 nsN-ChannelSWITCHING9.5m Ω @ 21A, 10V2.25V @ 25μA1210pF @ 15V15nC @ 4.5V41ns±20V3.6 ns59A20V42A30V-59 ns1.8 V4.83mm10.67mm9.652mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅1.8V30V40 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF3704SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK | 对比 |
 | FDB6670AL | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 对比 |
| IRL3715SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK | 对比 |
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