Infineon Technologies IRL3715SPBF
- 收藏
- 对比
IRL3715SPBF
1211-IRL3715SPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
1最小包装量--
IRL3715SPBF详情
Infineon Technologies IRL3715SPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
54A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3.8W Ta 71W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
额定电流
54A
功率耗散
71W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
14mOhm @ 26A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1060pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 4.5V
上升时间
73ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
54A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
20V
输入电容
1.06nF
漏源电阻
20mOhm
最大rds
14 mΩ
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRL3715SPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies









哦! 它是空的。