Infineon Technologies IRL3715SPBF

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

供应商器件包装

D2PAK

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

3.8W Ta 71W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

54A Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

系列

HEXFET®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

20V

额定电流

54A

功率耗散

71W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

14mOhm @ 26A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1060pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 4.5V

上升时间

73ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

54A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

20V

输入电容

1.06nF

漏源电阻

20mOhm

最大rds

14 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅