IRF3707ZLPBF备选型号: IRL3705ZLPBF
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- MOSFET N-CH 30V 59A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3TO-26259A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°C30V59A57W9.8 nsN-Channel9.5mOhm @ 21A, 10V2.25V @ 25μA1210pF @ 15V15nC @ 4.5V41ns30V±20V3.6 ns59A20V30V1.21nF12.5mOhm9.5 mΩ9.65mm10.668mm4.826mm无符合RoHS标准无铅--------------
- MOSFET N-CH 55V 75A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-75A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010活跃1 (Unlimited)--55V86A130W17 nsN-Channel8m Ω @ 52A, 10V3V @ 250μA2880pF @ 25V60nC @ 5V240ns-±16V83 ns75A16V55V---9.65mm10.668mm4.826mm无ROHS3 Compliant无铅12 WeeksSILICONe33EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE26030Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING0.008Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRL3705ZLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 75A TO-262 | 对比 |
![]() | IRFSL3806PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 43A TO-262 | 对比 |
| HUFA75344S3 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 55V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-262 Rail | 对比 |



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