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IRF3707ZPBF备选型号: FDP8880

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  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
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  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • Infineon Technologies
    IRF3707ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 59A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220AB
    59A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    9.5Ohm
    175°C
    -55°C
    30V
    59A
    57W
    9.8 ns
    N-Channel
    9.5mOhm @ 21A, 10V
    2.25V @ 25μA
    1210pF @ 15V
    15nC @ 4.5V
    41ns
    30V
    ±20V
    3.6 ns
    59A
    1.8V
    20V
    30V
    30V
    1.21nF
    21 ns
    12.5mOhm
    9.5 mΩ
    1.8 V
    8.763mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP8880
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    11A Ta 54A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    11.6MOhm
    -
    -
    30V
    54A
    55W
    8 ns
    N-Channel
    11.6m Ω @ 40A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1240pF @ 15V
    29nC @ 10V
    107ns
    -
    ±20V
    51 ns
    54A
    2.5V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    2.5 V
    9.65mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    10 Weeks
    1.8g
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-220AB
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