Infineon Technologies IRF3707ZPBF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

59A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

57W Tc

Turn Off Delay Time

12 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2003

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

9.5Ohm

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

额定电流

59A

功率耗散

57W

接通延迟时间

9.8 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.5mOhm @ 21A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.25V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1210pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 4.5V

上升时间

41ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3.6 ns

连续放电电流(ID)

59A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

输入电容

1.21nF

恢复时间

21 ns

漏源电阻

12.5mOhm

最大rds

9.5 mΩ

栅源电压

1.8 V

高度

8.763mm

长度

10.5156mm

宽度

4.69mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅