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首页 全部分类 IRF3709LPBF vs IPI80N06S3-07

IRF3709LPBF备选型号: IPI80N06S3-07

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    IRF3709LPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 90A TO-262
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    TO-262
    90A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    30V
    90A
    Single
    120W
    N-Channel
    9mOhm @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    2672pF @ 16V
    41nC @ 5V
    171ns
    30V
    ±20V
    9.2 ns
    90A
    20V
    30V
    2.672nF
    10.5mOhm
    9 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPI80N06S3-07
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    -
    -
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    55V
    80A
    Single
    135W
    N-Channel
    6.8m Ω @ 51A, 10V
    4V @ 80μA
    7768pF @ 25V
    170nC @ 10V
    41ns
    -
    ±20V
    33 ns
    80A
    20V
    55V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    SILICON
    e3
    3
    EAR99
    哑光锡
    雪崩 额定
    260
    40
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    增强型MOSFET
    0.0068Ohm
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