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IRF3711ZSPBF备选型号: NTB90N02T4
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK92A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2003Obsolete1 (Unlimited)6mOhm175°C-55°C20V92ASingle79W12 nsN-Channel6mOhm @ 15A, 10V2.45V @ 250μA2150pF @ 10V24nC @ 4.5V16ns20V±20V5.4 ns92A2V20V20V20V2.15nF24 ns7.3mOhm6 mΩ2 V4.699mm10.668mm9.65mm无SVHC无符合RoHS标准无铅-------------------- MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--90A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2009Obsolete1 (Unlimited)---24V90ASingle85W-N-Channel5.8m Ω @ 90A, 10V3V @ 250μA2120pF @ 20V29nC @ 4.5V90ns-±20V60 ns90A-20V24V-----------Non-RoHS Compliant含铅SILICONe02EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)8541.29.00.95鸥翼240not_compliant303R-PSSO-G2不合格增强型MOSFETDRAINSWITCHING0.0058Ohm200A733 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB55NF06LT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp | 对比 |
| IRL3714ZSPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK | 对比 |
| NTB90N02T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK | 对比 |
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