Infineon Technologies IRL3714ZSPBF
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IRL3714ZSPBF
1211-IRL3714ZSPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
1最小包装量--
IRL3714ZSPBF详情
Infineon Technologies IRL3714ZSPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
36A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
10 ns
Power Dissipation (Max)
35W Tc
已出版
2003
系列
HEXFET®
包装
Tube
操作温度
-55°C~175°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
16mOhm
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
额定电流
36A
元素配置
Single
功率耗散
35W
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
16mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.55V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
550pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.2nC @ 4.5V
上升时间
13ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
36A
阈值电压
2.1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
20V
双电源电压
20V
输入电容
550pF
恢复时间
12 ns
漏源电阻
16mOhm
最大rds
16 mΩ
栅源电压
2.1 V
高度
4.699mm
长度
10.668mm
宽度
9.65mm
RoHS状态
符合RoHS标准
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
IRL3714ZSPBF拓展信息
Infineon Technologies
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