IRL3714ZSPBF
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Infineon Technologies IRL3714ZSPBF

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型号

IRL3714ZSPBF

utmel 编号

1211-IRL3714ZSPBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK

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IRL3714ZSPBF
IRL3714ZSPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK

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IRL3714ZSPBF详情

Infineon Technologies IRL3714ZSPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    D2PAK

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    36A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Turn Off Delay Time

    10 ns

  • Power Dissipation (Max)

    35W Tc

  • 已出版

    2003

  • 系列

    HEXFET®

  • 包装

    Tube

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电阻

    16mOhm

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    20V

  • 额定电流

    36A

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    35W

  • 接通延迟时间

    6 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    16mOhm @ 15A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.55V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    550pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    7.2nC @ 4.5V

  • 上升时间

    13ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    5 ns

  • 连续放电电流(ID)

    36A

  • 阈值电压

    2.1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 双电源电压

    20V

  • 输入电容

    550pF

  • 恢复时间

    12 ns

  • 漏源电阻

    16mOhm

  • 最大rds

    16 mΩ

  • 栅源电压

    2.1 V

  • 高度

    4.699mm

  • 长度

    10.668mm

  • 宽度

    9.65mm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 辐射硬化

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 无铅

    无铅

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