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首页 全部分类 IRF3805STRL-7PP vs STH260N6F6-6

IRF3805STRL-7PP备选型号: STH260N6F6-6

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  • 漏源击穿电压
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  • 恢复时间
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • 质量
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • Infineon Technologies
    IRF3805STRL-7PP
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
    7
    SILICON
    160A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    2.6MOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    55V
    鸥翼
    160A
    R-PSSO-G6
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.6m Ω @ 140A, 10V
    4V @ 250μA
    7820pF @ 25V
    200nC @ 10V
    130ns
    ±20V
    52 ns
    240A
    4V
    20V
    55V
    55V
    680 mJ
    68 ns
    4 V
    4.5466mm
    10.3378mm
    15.2908mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STH260N6F6-6
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    -
    -
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    EAR99
    1.7mOhm
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    31.4 ns
    N-Channel
    -
    2.4m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    11800pF @ 25V
    183nC @ 10V
    165ns
    ±20V
    62.6 ns
    180A
    -
    20V
    60V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    1.59999g
    未说明
    未说明
    STH260
    1
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