IRF4905LPBF备选型号: IRFZ44NLPBF

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  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 55V 42A TO-262
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    SILICON
    42A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1997
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED
    -55V
    260
    -74A
    30
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    20 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 42A, 10V
    4V @ 250μA
    3500pF @ 25V
    180nC @ 10V
    99ns
    ±20V
    64 ns
    -74A
    4V
    20V
    42A
    0.02Ohm
    -55V
    280A
    55V
    4 V
    9.652mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 49A TO-262
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    SILICON
    49A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    55V
    260
    49A
    30
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    17.5m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 250μA
    1470pF @ 25V
    63nC @ 10V
    60ns
    ±20V
    45 ns
    49A
    4V
    20V
    -
    -
    55V
    -
    55V
    4 V
    9.65mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    17.5MOhm
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