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IRF4905STRLPBF备选型号: IRFZ44NSTRLPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 制造商包装标识符
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 恢复时间
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK12 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICOND2Pak42A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1997e3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR9920mOhmHIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED-55V鸥翼260-74A30R-PSSO-G21Single增强型MOSFET3.8WDRAIN20 nsP-ChannelSWITCHING20m Ω @ 42A, 10V4V @ 250μA3500pF @ 25V180nC @ 10V99ns55V±20V64 ns-42A-2V20V-55V280A-55V92 ns150°C-4 V4.83mm10.54mm10.54mm无SVHC无ROHS3 Compliant含铅- MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK12 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON-49A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2000e3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR9917.5mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY55V鸥翼26049A30R-PSSO-G21Single增强型MOSFET110WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING17.5m Ω @ 25A, 10V4V @ 250μA1470pF @ 25V63nC @ 10V60ns-±20V45 ns49A2V20V55V-55V95 ns175°C4 V5.084mm10.668mm9.65mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK | 对比 |
 | HUFA75329S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK | 对比 |
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