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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.770471
10
¥5.443843
100
¥5.135701
500
¥4.845004
1000
¥4.57076
ON Semiconductor HUFA75329S3ST
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- 对比
HUFA75329S3ST
1807-HUFA75329S3ST
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
--最小包装量--
¥
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HUFA75329S3ST详情
ON Semiconductor HUFA75329S3ST重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK (TO-263AB)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
49A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
128W Tc
Turn Off Delay Time
33 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
UltraFET™
已出版
2002
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
55V
额定电流
49A
元素配置
Single
功率耗散
128W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
24mOhm @ 49A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1060pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
75nC @ 20V
上升时间
58ns
漏源电压 (Vdss)
55V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
33 ns
连续放电电流(ID)
49A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
55V
输入电容
1.06nF
漏源电阻
24mOhm
最大rds
24 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
HUFA75329S3ST拓展信息
ON Semiconductor
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