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首页 全部分类 IRF520NPBF vs BUK95180-100A,127

IRF520NPBF备选型号: BUK95180-100A,127

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  • 终止次数
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 螺纹距离
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF520NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    9.7A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1998
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    100V
    9.7A
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    48W
    DRAIN
    4.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    200m Ω @ 5.7A, 10V
    4V @ 250μA
    330pF @ 25V
    25nC @ 10V
    23ns
    ±20V
    23 ns
    9.7A
    4V
    TO-220AB
    20V
    9.5A
    0.2Ohm
    100V
    100V
    150 ns
    4 V
    15.24mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BUK95180-100A,127
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 100V 11A TO220AB
    -
    -
    -
    通孔
    TO-220-3
    -
    SILICON
    11A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    173m Ω @ 5A, 10V
    2V @ 1mA
    619pF @ 25V
    -
    -
    ±15V
    -
    -
    -
    TO-220AB
    -
    11A
    0.2Ohm
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    NO
    e3
    Matte Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    100V
    44A
    100V
    1.5 mJ
  • 添加型号
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BUK95180-100A,127 BUK95180-100A,127 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 11A TO220AB 对比