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IRF5210LPBF备选型号: IRFSL3607PBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子位置
- 配置
- 漏极-源极导通最大电阻
- 恢复时间
MOSFET P-CH 100V 38A TO-26212 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON38A Tc-55°C~150°C TJTubeHEXFET®1998e3活跃1 (Unlimited)3SMD/SMTEAR9960mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierHIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE-100V260-40A30Single增强型MOSFET200WDRAIN14 nsP-ChannelSWITCHING60m Ω @ 38A, 10V4V @ 250μA2780pF @ 25V230nC @ 10V63ns±20V55 ns-40A4V20V-100V100V4 V9.652mm10.54mm4.69mm无SVHC无ROHS3 Compliant含铅----- MOSFET N-CH 75V 80A TO-26215 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008e3Obsolete1 (Unlimited)3通孔EAR99-Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier--260-40-增强型MOSFET140WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 46A, 10V4V @ 100μA3070pF @ 50V84nC @ 10V110ns±20V96 ns80A4V20V75V75V4 V9.65mm10.668mm4.826mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE0.009Ohm50 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFSL3607PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 75V 80A TO-262 | 对比 |
| IRFSL4510PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 61A TO262 | 对比 |
 | HUF75639S3 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA | 对比 |
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