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IRF5305LPBF备选型号: IRFZ44ZLPBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET P-CH 55V 31A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3TO-26231A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2003Obsolete1 (Unlimited)60mOhm175°C-55°C110W14 nsP-Channel60mOhm @ 16A, 10V4V @ 250μA1200pF @ 25V63nC @ 10V66ns55V±20V63 ns-31A20V-55V1.2nF60mOhm60 mΩ-4 V9.65mm10.668mm4.826mm无SVHC无符合RoHS标准无铅------------------ MOSFET N-CH 55V 51A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-51A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010活跃1 (Unlimited)13.9MOhm--80W14 nsN-Channel13.9m Ω @ 31A, 10V4V @ 250μA1420pF @ 25V43nC @ 10V68ns-±20V41 ns51A20V55V----4.83mm10.6426mm4.826mm-无ROHS3 Compliant无铅12 WeeksSILICONe33EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE55V26051A30Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING200A86 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFZ44ZLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 51A TO-262 | 对比 |
 | HUFA75344S3 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 55V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-262 Rail | 对比 |
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