IRF540A备选型号: FQP33N10

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  • 终端
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • Vgs(最大值)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 高度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 28A TO-220
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    107W Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    1997
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    通孔
    52mOhm
    Single
    107W
    N-Channel
    52m Ω @ 14A, 10V
    4V @ 250μA
    1710pF @ 25V
    78nC @ 10V
    18ns
    56 ns
    28A
    20V
    100V
    100V
    4 V
    10.67mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    33A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    52mOhm
    Single
    127W
    N-Channel
    52m Ω @ 16.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1500pF @ 25V
    51nC @ 10V
    195ns
    110 ns
    33A
    25V
    100V
    100V
    4 V
    4.83mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    Tin
    1.8g
    SILICON
    QFET®
    e3
    yes
    3
    EAR99
    100V
    33A
    增强型MOSFET
    15 ns
    SWITCHING
    ±25V
    4V
    TO-220AB
    9.4mm
    10.67mm
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