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首页 全部分类 IRF540NPBF vs FQP33N10

IRF540NPBF备选型号: FQP33N10

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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 无铅代码
  • Infineon Technologies
    IRF540NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    33A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1997
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    44MOhm
    HIGH RELIABILITY
    100V
    250
    27A
    30
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    130W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    44m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    1960pF @ 25V
    71nC @ 10V
    35ns
    ±20V
    35 ns
    33A
    4V
    TO-220AB
    20V
    100V
    100V
    170 ns
    4 V
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP33N10
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
    5 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    33A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    52mOhm
    -
    100V
    -
    33A
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    127W
    -
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    52m Ω @ 16.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1500pF @ 25V
    51nC @ 10V
    195ns
    ±25V
    110 ns
    33A
    4V
    TO-220AB
    25V
    100V
    100V
    -
    4 V
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1.8g
    yes
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