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首页 全部分类 IRF5803D2TRPBF vs FDS6961A

IRF5803D2TRPBF备选型号: FDS6961A

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  • 质量
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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 场效应管技术
  • Infineon Technologies
    IRF5803D2TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    3.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FETKY™
    2001
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    EAR99
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    43 ns
    P-Channel
    112m Ω @ 3.4A, 10V
    3V @ 250μA
    1110pF @ 25V
    37nC @ 10V
    550ns
    ±20V
    50 ns
    3.4A
    3V
    20V
    -40V
    40V
    Schottky Diode (Isolated)
    3 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6961A
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    增强型MOSFET
    2W
    3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    90m Ω @ 3.5A, 10V
    3V @ 250μA
    220pF @ 15V
    4nC @ 5V
    11ns
    -
    3 ns
    3.5A
    1.8V
    20V
    30V
    -
    逻辑电平门
    1.8 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    230.4mg
    SILICON
    e3
    yes
    8
    90mOhm
    Tin (Sn)
    30V
    2W
    鸥翼
    3.5A
    Dual
    900mW
    SWITCHING
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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