Infineon Technologies IRF7103TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

IRF7103TRPBF

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

130mOhm

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

额定电流

3A

基本部件号

IRF7103PBF

行间距

6.3 mm

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

5.1 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

290pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

8ns

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

3A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏源击穿电压

50V

双电源电压

50V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

恢复时间

100 ns

场效应管特性

Standard

栅源电压

3 V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free