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IRF5805TRPBF备选型号: FDC654P
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- 功率耗散
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
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- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
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- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
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- 长度
- 宽度
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- 生命周期状态
- 质量
- 晶体管元件材料
- 无铅代码
- 终止次数
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 晶体管应用
- 无铅
MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP19 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-663.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005e3Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMTEAR99Matte Tin (Sn)Single增强型MOSFET2W11 nsP-Channel98m Ω @ 3.8A, 10V2.5V @ 250μA511pF @ 25V17nC @ 10V14ns30V±20V49 ns-3.8A-2.5V20V-30V-30V-2.5 V990.6μm3mm1.7018mm无SVHC无ROHS3 Compliant------------
Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin SuperSOT T/R10 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-663.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017e3活跃1 (Unlimited)-EAR99Tin (Sn)Single增强型MOSFET1.6W6 nsP-Channel75m Ω @ 3.6A, 10V3V @ 250μA298pF @ 15V9nC @ 10V13ns30V±20V13 ns3.6A-1.9V20V-30V--1mm3mm1.7mm无SVHC无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)36mgSILICONyes675MOhm-30VDUAL鸥翼-3.6ASWITCHING无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP3065LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 20Vgss 587pF 12.3nC | 对比 |
| FDC654P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 |
| IRF5800TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP | 对比 |
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