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IRF6215PBF备选型号: FDP2572

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  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    IRF6215PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 150V 13A TO-220AB
    14 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    13A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1998
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    290mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    -150V
    -13A
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    14 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    290m Ω @ 6.6A, 10V
    4V @ 250μA
    860pF @ 25V
    66nC @ 10V
    36ns
    150V
    ±20V
    37 ns
    -13A
    -4V
    TO-220AB
    20V
    -150V
    44A
    -150V
    240 ns
    -4 V
    15.24mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP2572
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 150V 29A TO-220AB
    9 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    4A Ta 29A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    -
    -
    150V
    29A
    -
    Single
    增强型MOSFET
    135W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    54m Ω @ 9A, 10V
    4V @ 250μA
    1770pF @ 25V
    34nC @ 10V
    14ns
    -
    ±20V
    14 ns
    29A
    4V
    TO-220AB
    20V
    150V
    -
    -
    -
    4 V
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1.8g
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    不合格
    4A
    0.054Ohm
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