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首页 全部分类 IRF6612TR1PBF vs STL150N3LLH6

IRF6612TR1PBF备选型号: STL150N3LLH6

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  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Infineon Technologies
    IRF6612TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    5
    DIRECTFET™ MX
    24A Ta 136A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3.3MOhm
    150°C
    -40°C
    30V
    24A
    89W
    15 ns
    N-Channel
    3.3mOhm @ 24A, 10V
    2.25V @ 250μA
    3970pF @ 15V
    45nC @ 4.5V
    52ns
    30V
    ±20V
    4.8 ns
    19A
    20V
    30V
    3.97nF
    4.4mOhm
    3.3 mΩ
    1.8 V
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STL150N3LLH6
    STMicroelectronics
    MOSFET NCH 30V 150A POWERFLAT5X6
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    150A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2.4mOhm
    -
    -
    -
    -
    80W
    17 ns
    N-Channel
    2.4m Ω @ 16.5A, 10V
    1V @ 250μA
    4040pF @ 25V
    40nC @ 4.5V
    18ns
    -
    ±20V
    46 ns
    150A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    20 Weeks
    SILICON
    e3
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    DUAL
    260
    30
    STL150
    8
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
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