IRF6613TR1PBF备选型号: STL140N4LLF5

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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MT
    5
    DIRECTFET™ MT
    23A Ta 150A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    3.4MOhm
    150°C
    -40°C
    40V
    23A
    89W
    18 ns
    N-Channel
    3.4mOhm @ 23A, 10V
    2.25V @ 250μA
    5950pF @ 15V
    63nC @ 4.5V
    47ns
    40V
    ±20V
    4.9 ns
    18A
    1.35V
    20V
    40V
    40V
    5.95nF
    57 ns
    4.1mOhm
    3.4 mΩ
    1.35 V
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 40V 140A PWRFLAT5X6
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    140A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ V
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    2.75MOhm
    -
    -
    -
    -
    80W
    19 ns
    N-Channel
    2.75m Ω @ 16A, 10V
    1V @ 250μA
    5900pF @ 25V
    45nC @ 4.5V
    29ns
    -
    ±22V
    21 ns
    140A
    1V
    22V
    40V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    880μm
    4.75mm
    5.75mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    14 Weeks
    SILICON
    5
    EAR99
    DUAL
    STL140
    8
    R-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    32A
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