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IRF6616TR1PBF备选型号: STB100NF04T4
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MX5DIRECTFET™ MX19A Ta 106A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2007Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMT5MOhm150°C-40°C2.8W15 nsN-Channel5mOhm @ 19A, 10V2.25V @ 250μA3765pF @ 20V44nC @ 4.5V19ns40V±20V4.4 ns15A1.8V20V40V40V3.765nF23 ns6.2mOhm5 mΩ1.8 V508μm6.35mm5.05mm无SVHC无符合RoHS标准无铅-----------------
MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II-活跃1 (Unlimited)SMD/SMT4.6mOhm--300W35 nsN-Channel4.6m Ω @ 50A, 10V4V @ 250μA5100pF @ 25V150nC @ 10V220ns-±20V50 ns120A2V20V40V40V----4 V4.6mm10.4mm9.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅12 WeeksSILICONe3yes2EAR99Matte Tin (Sn) - annealed鸥翼24530STB100N3R-PSSO-G2Single增强型MOSFETSWITCHING480A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFH7934TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN | 对比 |
| AUIRF4104S | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | 对比 |
 | IRLR8113PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 94A DPAK | 对比 |
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