Infineon Technologies IRLR8113PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

供应商器件包装

D-Pak

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

94A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

89W Tc

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

6MOhm

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

额定电流

94A

元素配置

Single

功率耗散

89W

接通延迟时间

9.2 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.25V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2920pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 4.5V

上升时间

3.8ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

94A

阈值电压

2.25V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

输入电容

2.92nF

恢复时间

49 ns

漏源电阻

7.4mOhm

最大rds

6 mΩ

高度

2.3876mm

长度

6.7056mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅