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首页 全部分类 IRF6618TRPBF vs STL150N3LLH5

IRF6618TRPBF备选型号: STL150N3LLH5

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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF6618TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MT
    5
    SILICON
    30A Ta 170A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    2.2MOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    30V
    BOTTOM
    260
    30A
    30
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    21 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2m Ω @ 30A, 10V
    2.35V @ 250μA
    5640pF @ 15V
    65nC @ 4.5V
    71ns
    ±20V
    8.1 ns
    170mA
    1.64V
    20V
    29A
    30V
    240A
    508μm
    6.35mm
    5.0546mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STL150N3LLH5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 35A POWERFLAT6X5
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ V
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    1.75mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    DUAL
    260
    -
    30
    R-PDSO-N5
    -
    增强型MOSFET
    80W
    DRAIN
    17.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.75m Ω @ 17.5A, 10V
    2.2V @ 250μA
    5800pF @ 25V
    40nC @ 4.5V
    30.8ns
    ±22V
    47.8 ns
    17.5A
    1.55V
    22V
    35A
    30V
    -
    950μm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    STL150
    8
    Single
    300 mJ
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