IRF6619TR1备选型号: STB300NH02L

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    DIRECTFET™ MX
    30A Ta 150A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    SMD/SMT
    150°C
    -40°C
    20V
    30A
    2.8W
    N-Channel
    2.2mOhm @ 30A, 10V
    2.45V @ 250μA
    5040pF @ 10V
    57nC @ 4.5V
    71ns
    20V
    ±20V
    9.3 ns
    29 ns
    24A
    2.45V
    20V
    20V
    20V
    5.04nF
    1.65Ohm
    2.2 mΩ
    2.45 V
    无SVHC
    Non-RoHS Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N Ch 200V 0.15 Ohm 15A Pwr MOSFET
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    -
    -
    -
    -
    300W
    N-Channel
    1.8m Ω @ 80A, 10V
    2V @ 250μA
    7055pF @ 15V
    109.4nC @ 10V
    275ns
    -
    ±20V
    94.4 ns
    -
    80A
    2V
    20V
    24V
    24V
    -
    -
    -
    2 V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    2
    EAR99
    1.8MOhm
    鸥翼
    未说明
    unknown
    未说明
    STB300N
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    SWITCHING
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