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IRF6621TR1PBF备选型号: IRF6721STR1PBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 恢复时间
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric SQ5DIRECTFET™ SQ12A Ta 55A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2006Obsolete1 (Unlimited)150°C-40°C20V12A42W12 nsN-Channel9.1mOhm @ 12A, 10V2.25V @ 250μA1460pF @ 15V17.5nC @ 4.5V14ns30V±20V4.1 ns9.6A1.8V20V30V1.46nF12.1mOhm9.1 mΩ1.8 V506μm4.826mm3.95mm无SVHC无符合RoHS标准无铅-- MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric SQ6DIRECTFET™ SQ14A Ta 60A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2007Obsolete1 (Unlimited)150°C-40°C--2.2W7.8 nsN-Channel7.3mOhm @ 14A, 10V2.4V @ 25μA1430pF @ 15V17nC @ 4.5V8.9ns30V±20V5.3 ns14A1.9V20V30V1.43nF10.9mOhm7.3 mΩ1.9 V508μm4.826mm3.95mm无SVHC无符合RoHS标准-26 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF3707ZSPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK | 对比 |
 | IRLR8721PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 65A DPAK | 对比 |
| IRF6721STR1PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric SQ | MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET | 对比 |
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