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首页 全部分类 IRF6621TRPBF vs FDD8880

IRF6621TRPBF备选型号: FDD8880

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  • 端子位置
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • Infineon Technologies
    IRF6621TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    SILICON
    12A Ta 55A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    e1
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    30V
    BOTTOM
    12A
    R-XBCC-N2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.1m Ω @ 12A, 10V
    2.25V @ 250μA
    1460pF @ 15V
    17.5nC @ 4.5V
    14ns
    ±20V
    4.1 ns
    9.6A
    20V
    0.0091Ohm
    30V
    96A
    13 mJ
    1.8 V
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8880
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    13A Ta 58A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    30V
    -
    58A
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    55W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1260pF @ 15V
    31nC @ 10V
    91ns
    ±20V
    32 ns
    58A
    20V
    -
    30V
    -
    -
    -
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    Tin
    260.37mg
    yes
    9MOhm
    鸥翼
    Single
    2.5V
    TO-252AA
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