Infineon Technologies IRF6621TRPBF

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric SQ

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta 55A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.2W Ta 42W Tc

Turn Off Delay Time

16 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

30V

端子位置

BOTTOM

额定电流

12A

JESD-30代码

R-XBCC-N2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

42W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.1m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.25V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1460pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.5nC @ 4.5V

上升时间

14ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.1 ns

连续放电电流(ID)

9.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0091Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

96A

雪崩能量等级（Eas）

13 mJ

栅源电压

1.8 V

高度

506μm

长度

4.826mm

宽度

3.95mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅