IRF6623TR1PBF备选型号: IRFH5255TR2PBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 最大功率耗散
- 恢复时间
- MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric ST5DIRECTFET™ ST16A Ta 55A Tc-40°C~150°C TJCut Tape (CT)HEXFET®2006Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMT5.7MOhm150°C-40°C20V16A42W9.7 nsN-Channel5.7mOhm @ 15A, 10V2.2V @ 250μA1360pF @ 10V17nC @ 4.5V40ns20V±20V4.5 ns13A1.4V20V20V20V1.36nF9.7mOhm5.7 mΩ1.4 V506μm4.826mm3.95mm无SVHC无符合RoHS标准无铅--
- MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN表面贴装表面贴装8-PowerVDFN88-PQFN (5x6)15A Ta 51A Tc-Cut Tape (CT)HEXFET®2013Obsolete1 (Unlimited)--150°C-55°C--26W7.9 nsN-Channel6mOhm @ 15A, 10V2.35V @ 25μA988pF @ 13V14.5nC @ 10V10.7ns25V-3.8 ns51A1.8V20V25V-988pF10.9mOhm6 mΩ1.8 V838.2μm5.9944mm5mm无SVHC无符合RoHS标准-3.6W17 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMC8588DC | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC8588DC MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 25 V, 0.0036 ohm, 10 V, 1.2 V | 对比 |




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