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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥24.973357
10
¥23.559774
100
¥22.226196
500
¥20.968113
1000
¥19.781234
ON Semiconductor FDMC8588DC
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FDMC8588DC
1807-FDMC8588DC
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC8588DC MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 25 V, 0.0036 ohm, 10 V, 1.2 V
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDMC8588DC详情
ON Semiconductor FDMC8588DC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
引脚数
8
质量
32.13mg
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
25 ns
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
3W
端子位置
DUAL
JESD-30代码
S-PDSO-N5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
41W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8 ns
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
3ns
漏源电压 (Vdss)
25V
极性/通道类型
N-CHANNEL
下降时间(典型值)
2 ns
连续放电电流(ID)
40A
阈值电压
1.2V
JEDEC-95代码
MO-240BA
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
17A
漏源击穿电压
25V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
输入电容
1.695nF
雪崩能量等级(Eas)
29 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
5.7mOhm
最大rds
5 mΩ
栅源电压
1.2 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMC8588DC拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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