IRF6626TR1PBF备选型号: STL90N3LLH6
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric ST5DIRECTFET™ ST16A Ta 72A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2006Obsolete3 (168 Hours)5.4MOhm150°C-40°C30V16A42W13 nsN-Channel5.4mOhm @ 16A, 10V2.35V @ 250μA2380pF @ 15V29nC @ 4.5V15ns30V±20V4.5 ns13A20V30V2.38nF7.1mOhm5.4 mΩ2.35 V506μm4.826mm3.95mm无SVHC无符合RoHS标准无铅---------------------
- MOSFET N-CH 30V 24A POWERFLAT5X6表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8-37 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VI-活跃1 (Unlimited)4.5mOhm----60W9.5 nsN-Channel4.5m Ω @ 12A, 10V1V @ 250μA1690pF @ 25V17nC @ 4.5V30ns-±20V12 ns90A20V30V---1.7 V780μm5mm6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)20 WeeksSILICONe35EAR99Matte Tin (Sn) - annealedULTRA-LOW RESISTANCEDUAL26030STL908R-XDSO-N5Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING1.7V24A96A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH8324TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | IRFH5304TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN | 对比 |
![]() | IRFH8324TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN | 对比 |






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