注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.325101
10
¥5.023681
100
¥4.739321
500
¥4.471057
1000
¥4.217979
Infineon Technologies IRFH8324TR2PBF
- 收藏
- 对比
IRFH8324TR2PBF
1211-IRFH8324TR2PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRFH8324TR2PBF详情
Infineon Technologies IRFH8324TR2PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PQFN (5x6)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
23A Ta 90A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3.6W Ta 54W Tc
Turn Off Delay Time
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
3.1MOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
3.6W
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.1mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2380pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
31nC @ 10V
上升时间
26ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8.5 ns
连续放电电流(ID)
23A
阈值电压
1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
输入电容
2.38nF
恢复时间
24 ns
漏源电阻
4.1mOhm
最大rds
4.1 mΩ
栅源电压
1.8 V
高度
1.17mm
长度
5.85mm
宽度
5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRFH8324TR2PBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。