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IRF6633TR1PBF备选型号: IRF6623TR1PBF

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  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 双电源电压
  • Infineon Technologies
    IRF6633TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MP
    5
    DIRECTFET™ MP
    16A Ta 59A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5.6MOhm
    150°C
    -40°C
    20V
    16A
    89W
    9.7 ns
    N-Channel
    5.6mOhm @ 16A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1250pF @ 10V
    17nC @ 4.5V
    31ns
    20V
    ±20V
    4.3 ns
    13A
    1.8V
    20V
    20V
    1.25nF
    9.4mOhm
    5.6 mΩ
    1.8 V
    676μm
    6.35mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6623TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric ST
    5
    DIRECTFET™ ST
    16A Ta 55A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5.7MOhm
    150°C
    -40°C
    20V
    16A
    42W
    9.7 ns
    N-Channel
    5.7mOhm @ 15A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1360pF @ 10V
    17nC @ 4.5V
    40ns
    20V
    ±20V
    4.5 ns
    13A
    1.4V
    20V
    20V
    1.36nF
    9.7mOhm
    5.7 mΩ
    1.4 V
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    SMD/SMT
    20V
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