您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRF6637TR1PBF vs STD75N3LLH6

IRF6637TR1PBF备选型号: STD75N3LLH6

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 长度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRF6637TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MP
    5
    DIRECTFET™ MP
    14A Ta 59A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    30V
    14A
    89W
    12 ns
    N-Channel
    7.7mOhm @ 14A, 10V
    2.35V @ 250μA
    1330pF @ 15V
    17nC @ 4.5V
    15ns
    30V
    ±20V
    3.8 ns
    11A
    1.8V
    20V
    30V
    1.33nF
    10.8mOhm
    7.7 mΩ
    1.8 V
    6.35mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD75N3LLH6
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    60W
    9.5 ns
    N-Channel
    5.5m Ω @ 37.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1690pF @ 25V
    17nC @ 4.5V
    30ns
    30V
    ±20V
    12 ns
    75A
    1.7V
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    6.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    SINGLE
    鸥翼
    260
    STD75N
    3
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.008Ohm
    2.4mm
    6.2mm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRLR8721PBF IRLR8721PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 30V 65A DPAK 对比
IRF6721STR1PBF IRF6721STR1PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 DirectFET™ Isometric SQ MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET 对比
STD75N3LLH6 STD75N3LLH6 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R 对比