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首页 全部分类 IRF6643TR1PBF vs FDB2552

IRF6643TR1PBF备选型号: FDB2552

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  • JESD-30代码
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  • 晶体管应用
  • Infineon Technologies
    IRF6643TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MZ
    7
    DIRECTFET™ MZ
    6.2A Ta 35A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    34.5MOhm
    150°C
    -40°C
    150V
    6.2A
    Single
    2.8W
    9.2 ns
    N-Channel
    34.5mOhm @ 7.6A, 10V
    4.9V @ 150μA
    2340pF @ 25V
    55nC @ 10V
    5ns
    150V
    ±20V
    4.4 ns
    6.2A
    4V
    20V
    150V
    150V
    2.34nF
    100 ns
    29mOhm
    34.5 mΩ
    4 V
    508μm
    5.45mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB2552
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    5A Ta 37A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    36MOhm
    -
    -
    150V
    37A
    Single
    150W
    12 ns
    N-Channel
    36m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    2800pF @ 25V
    51nC @ 10V
    29ns
    -
    ±20V
    29 ns
    37A
    4V
    20V
    150V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    4.83mm
    10.67mm
    11.33mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    4.535924g
    SILICON
    e3
    yes
    2
    EAR99
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    150V
    5A
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
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